Глава 7. Эффект Ганна и приборы на его основе. 7.1 Диод Ганна. Диод Ганна представляет собой полупроводниковый кристалл с двумя омическими контактами для внешних выводов (рис. 7.1, а). В качестве полупроводникового материала используется арсенид галлия GaAs или другой материал, в которых проявляется эффект Ганна (см. ниже) . Полупроводник имеет донорную примесь с концентрацией n =1014 ¸ 1016 1/см3. Так как полупроводники, в которых проявляется эффект Ганна, при контакте с металлами обычно образуют барьер Шоттки, то для организации нормального омического контакта формируются дополнительные слои n+ с концентрацией 1018 - 1019 1/см3 (рис. 7.1, б). Активная часть диода Ганна (n- слой) имеет длину 1¸ 100 мкм, диаметр 50¸ 250 мкм и более. Рис. 7.1 Омические контакты с соответствующими выводами называются, как и у остальных диодов, катодом и анодом, но принципиально они не имеют особого различия. При работе катод соединяется с отрицательным, а анод с положительным выводом источника питания. Так как основная масса зарядов - это электроны, то при наличии тока на анодном выводе выделяется тепловая энергия и поэтому вывод анода должен иметь хороший теплоотвод. По этой причине он выполняется более массивным и обычно соединяется с корпусом устройства. назад | оглавление | вперёд